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IRL2203N
6000
5000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
15
12
I D = 60A
V DS = 24V
V DS = 15V
4000
Cis s
9
3000
6
2000
1000
Coss
3
0
1
Crss
10
100
0
0
20
40
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
60         80
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
T J = 175 ° C
10000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
10
100
100μsec
T J = 25 C
1
°
10
Tc = 25°C
1msec
10msec
Tj = 175°C
0.1
V GS = 0 V
1
Single Pulse
0.0
0.4     0.8     1.2     1.6     2.0
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
2.4
1
10
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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